ERIS - Eesti teadus- ja arendustegevuse infosüsteem

Elulookirjeldus (CV)
1.	Eesnimi	Aleks
2.	Perekonnanimi	Aidla
3.	Töökoht	Tartu Ülikooli Füüsika Instituut
4.	Ametikoht	insener
5.	Sünniaeg	15.11.1935 (päev.kuu.aasta)
6.	Haridus	Tartu Riiklik Ülikool, 1959
7.	Teenistuskäik	1959-1973 ENSV TA füüsika ja Astronoomia Instituut (aspirant, insener, nooremteadur), 1973-1982 ENSV TA Füüsika Instituut (nooremteadur) 1982-2001 Tartu Ülikool (vanemteadur, 2002-tänaseni TÜ Füüsika Instituut (insener)
8.	Teaduskraad	f. m. kand.
9.	Teaduskraadi välja andnud asutus, aasta	Tartu Riiklik Ülikool, 1981
10.	Tunnustused
11.	Teadusorganisatsiooniline ja –administratiivne tegevus
12.	Juhendamisel kaitstud väitekirjad
13.	Teadustöö põhisuunad	õhukeste oksiidkilede aatomkihtsadestamine
14.	Jooksvad grandid	ETF grandid nr. 5861 ja 5032
15.	Teaduspublikatsioonid	Kaupo Kukli, Jaan Aarik, Teet Uustare, Jun Lu, Mikko Ritala, Aleks Aidla, Lembit Pung, Anders Hårsta, Markku Leskelä, Arvo Kikas, Väino Sammelselg . Engineering structure and properties of hafnium oxide films by atomic layer deposition temperature. Thin Solid Films, Volume 479, Numbers 1-2 (May 2005), pp. 1-11 Jaan Aarik, Aleks Aidla, Arvo Kikas, Tanel Käämbre, Raul Rammula, Peeter Ritslaid, Teet Uustare, Väino Sammelselg . Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2. Applied Surface Science, Volume 230, Numbers 1-4 (2004), pp. 292-300 Sundqvist, J., Harsta, A., Aarik, J., Kukli, K. ja Aidla, A. (2003). Atomic Layer Deposition of Polycrystalline HfO2 Films by the HfI4-O2 Precursor Combination. Thin Solid Films, 427(1-2), 147-151 Aarik, J., Aidla, A., Mändar, H., Uustare, T., & Sammelselg, V. (2002). Growth Kinetics and Structure Formation of ZrO2 Thin Films in Chloride-Based Atomic Layer Deposition Process. Thin Solid Films, 408(1-2), 97-103. Aarik, J., Aidla, A., Mändar, H., Uustare, T., Schuisky, M., & Harsta, A. (2002). Atomic Layer Growth of Epitaxial TiO2 Thin Films From TiCl4 and H2O on Alpha-Al2O3 Substrates. Journal of Crystal Growth, 242(1-2), 189-198.

viimati muudetud: 04.08.2005

Curriculum Vitae (CV)
1.	First Name	Aleks
2.	Surname	Aidla
3.	Institution	Institute of Physics, University Tartu
4.	Position	engineer
5.	Date of birth	15.11.1935 (day.month.year)
6.	Education	Tartu State University, 1959
7.	Research and professional experience	1959-1973 Inst. of Phys. and Astronomy Acad. Sci. Est.SSR (PhD student, engineer, junior researcher), 1973-1982 Institute of Physics, Acad. Sci. Estonian SSR (junior researcher), 1982-2001 Univ. Tartu (senior researcher), 2002-present time Inst. Phys. Univ. Tartu (engineer)
8.	Academic degree	PhD
9.	Dates and sites of earning the degrees	Tartu State University, 1981
10.	Honours/awards
11.	Research-administrative experience
12.	Supervised dissertations
13.	Current research program	atomic layer deposition of thin oxide films
14.	Current grant funding	ESF grants Nos. 5861 and 5032
15.	List of most important publications	Kaupo Kukli, Jaan Aarik, Teet Uustare, Jun Lu, Mikko Ritala, Aleks Aidla, Lembit Pung, Anders Hårsta, Markku Leskelä, Arvo Kikas, Väino Sammelselg . Engineering structure and properties of hafnium oxide films by atomic layer deposition temperature. Thin Solid Films, Volume 479, Numbers 1-2 (May 2005), pp. 1-11 Jaan Aarik, Aleks Aidla, Arvo Kikas, Tanel Käämbre, Raul Rammula, Peeter Ritslaid, Teet Uustare, Väino Sammelselg . Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2. Applied Surface Science, Volume 230, Numbers 1-4 (2004), pp. 292-300 Sundqvist, J., Harsta, A., Aarik, J., Kukli, K. ja Aidla, A. (2003). Atomic Layer Deposition of Polycrystalline HfO2 Films by the HfI4-O2 Precursor Combination. Thin Solid Films, 427(1-2), 147-151 Aarik, J., Aidla, A., Mändar, H., Uustare, T., & Sammelselg, V. (2002). Growth Kinetics and Structure Formation of ZrO2 Thin Films in Chloride-Based Atomic Layer Deposition Process. Thin Solid Films, 408(1-2), 97-103. Aarik, J., Aidla, A., Mändar, H., Uustare, T., Schuisky, M., & Harsta, A. (2002). Atomic Layer Growth of Epitaxial TiO2 Thin Films From TiCl4 and H2O on Alpha-Al2O3 Substrates. Journal of Crystal Growth, 242(1-2), 189-198.

last updated: 04.08.2005