[ sulge aken ]

Elulookirjeldus (CV)
1.Eesnimi Teet
2.Perekonnanimi Uustare
3.Töökoht Tartu Ülikool
Füüsika Instituut
4.Ametikoht vanemteadur
5.Sünniaeg 16.04.1952 (päev.kuu.aasta)
6.Haridus Tallinna 16. Keskkool, 1970
Tartu Riiklik Ülikool, 1975
7.Teenistuskäik 1970-1975 õpingud Tartu Riikliku Ülikooli füüsikaosakonnas
1975 kuni praeguseni teenistus ja õpingud Tartu Riiklikus Ülikoolis
(aastast 1991 Tartu Ülikoolis):
1975-1976 Elektroluminestsentsi ja pooljuhtide labori nooremteadur
1976-1978 Eksperimentaalfüüsika kateedri stažöör-uurija
1976-1978 Elektroluminestsentsi ja pooljuhtide labori nooremteadur
1979-1982 Eksperimentaalfüüsika kateedri aspirant
1982-1985 Elektroluminestsentsi ja pooljuhtide labori vanemteadur
1985-1991 Elektroluminestsentsi ja pooljuhtide labori sektorijuhataja
1991-1996 Eksperimentaalfüüsika ja tehnoloogia instituudi vanemteadur
1996-1999 Materjaliteaduse instituudi vanemteadur
1991-2001 Tehnoloogiakeskuse vanemteadur
2002 kuni praeguseni Füüsika instituudi vanemteadur
8.Teaduskraad füüsika-matemaatikakandidaat (tahkisefüüsika)
9.Teaduskraadi välja
andnud asutus, aasta
Tartu Riiklik Ülikool, 1984
10.Tunnustused
11.Teadusorganisatsiooniline
ja –administratiivne
tegevus
12.Juhendamisel kaitstud
väitekirjad
13.Teadustöö põhisuunad Õhukeste kihtide struktuuranalüüs elektrondifraktsiooniga, Auger'
spektroskoopia
14.Jooksvad grandid ETF grant 5861 "Pinna- ja siirdekihtide mõju laia keelutsooniga oksiidkilede aatomkihtsadestamisele ja omadustele", 2004-2007
15.Teaduspublikatsioonid

K.Kukli, J.Aarik, T.Uustare, J.Lu, M.Ritala, A.Aidla, L.Pung, A.Hårsta, M.Leskelä, A.Kikas, V.Sammmelselg, Engineering structure and properties of hafnium oxide films by atomic layer deposition temperature, Thin Solid Films, 479 (2005) 1-11.

T.Jantson, T.Avarmaa, H.Mändar, T.Uustare, R.Jaaniso, Nanocrystalline Cr2O3-TiO2 thin films by pulsed laser deposition, Sens. Actuators B, 109 (2005) 24-31.

J.Aarik, A.Aidla, A.Kikas, T.Käämbre, R.Rammula, P.Ritslaid, T.Uustare, V.Sammelselg, Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2, Appl.Surf. Sci., 230 (2004) 292-300.

K.Kukli, J.Aarik, M.Ritala, T.Uustare, T. Sajavaara, J.Lu, J. Sundqvist, A.Aidla, L.Pung, A.Hårsta, M.Leskelä, Effect of selected atomic layer deposition parameters on the structure and dielectric properties of hafnium oxide films, J. Appl. Phys.,96 (2004), 5298-5307.

A.Rosental, A.Tarre, A.Gerst, J.Sundqvist, A.Hårsta, A.Aidla, J.Aarik, V.Sammelselg, T.Uustare, Gas sensing properties of epitaxial SnO2 thin films prepared by atomic layer deposition, Sens. Actuators B, 93 (2003) 552-555.

A.Tarre, A.Rosental, J.Sundqvist, A.Hårsta, T.Uustare, V.Sammelselg, Nanoepitaxy of SnO2 on -Al2O3 (012), Surf. Sci., 532-535 (2003) 514-518.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar, T.Uustare, M.Schuisky, A.Hårsta, Atomic layer growth of epitaxial TiO2 thin films from TiCl4 and H2O on -Al2O3 substrates, J. Cryst. Growth, 242 (2002) 189-198.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar, T.Uustare, V.Sammelselg, Growth kinetics and structure formation of ZrO2 thin films in chloride-based atomic layer deposition process, Thin Solid Films, 408 (2002) 197-203.

J.Aarik, A.Aidla, T.Uustare, K.Kukli, V.Sammelselg, M.Ritala, M.Leskelä, Atomic layer deposition of TiO2 thin films from TiI4 and H2O, Appl.Surf. Sci., 193 (2002) 277-286.

K.Kukli, M.Ritala, J.Aarik, T.Uustare, M.Leskelä, Influence of growth temperature on properties of zirconium dioxide films grown by atomic layer deposition, J. Appl. Phys., 92 (2002) 1833-1840.

K.Kukli, M.Ritala, T.Uustare, J.Aarik, K.Forsgren, T.Sajavaara, M.Leskelä, A.Hårsta, Influence of thickness and growth temperature on the properties of zirconium oxide films grown by atomic layer deposition on silicon, Thin Solid Films, 410 (2002) 53-60.

A.Rosental, A.Tarre, A.Gerst, T.Uustare, V.Sammelselg, Atomic-layer chemical vapor deposition of SnO2 for gas-sensing applications, Sensors and Actuators B, 77 (2001)297-300.

A.Tarre, A.Rosental, V.Sammelselg, T.Uustare, Comparative study of low-temperature chloride atomic-layer chemical vapor deposition of TiO2 and SnO2, Appl.Surf. Sci.,175-176 (2001) 111-116.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar and T.Uustare, Atomic layer deposition of titanium dioxide from TiCl4 and H2O: investigation of growth mechanism, Appl. Surf. Sci., 172, (2001) 148-158.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar, T.Uustare, K.Kukli, M.Schuisky , Phase transformations in hafnium dioxide thin films grown by atomic layer deposition at high temperatures, Appl. Surf. Sci., 173 (2001) 15-21.

J.Aarik, J.Karlis, H.Mändar, T.Uustare, V.Sammelselg, Influence of structure development on atomic layer deposition of TiO2 thin films, Appl.Surf. Sci., 181 (2001) 339-348.

K.Kukli, J.Aarik, A.Aidla, K.Forsgren, J.Sundqvist, A.Hårsta, T.Uustare, H.Mändar and A.-A.Kiisler, Atomic layer deposition of tantalum oxide thin films from iodide precursor, Chem. Mater., 13 (2001) 122-128.

K.Kukli, K.Forsgren, J.Aarik, T.Uustare, A.Aidla, A.Niskanen, M.Ritala, M.Leskelä, A.Hårsta, Atomic layer deposition of zirconium oxide from zirconium tetraiodide, water and hydrogen peroxide, J. Cryst. Growth, 231 (2001) 262-272.

viimati muudetud: 05.08.2005

Curriculum Vitae (CV)
1.First Name Teet
2.Surname Uustare
3.Institution Institute of Physics
University of Tartu
4.Position senior research associate
5.Date of birth 16.04.1952 (day.month.year)
6.Education Tallinn 16-th Secondary School, 1970 (füüsik)
State University of Tartu, 1975 (physicist)
7.Research and
professional experience
1970-1975 Student of the Physics Department of State University of Tartu
since 1975 up to present service and studies at State University of Tartu (since 1991 University of Tartu) as:
1975-1976 Junior Research Associate
1976-1978 Postgraduate Student
1978-1979 Junior Research Associate
1979-1982 Ph.D. Student
1982-1985 Senior Research Associate
1985-1991 Head of Group
since 1991 up to present Senior Research Associate
8.Academic degree Cand. Sci. (Ph.D.) (solid state physics)
9.Dates and sites of
earning the degrees
State University of Tartu, 1984
10.Honours/awards
11.Research-administrative
experience
12.Supervised dissertations
13.Current research program Structure analysis of thin films by electron diffraction, Auger' spectroscopy
14.Current grant funding Grant of ESF no. 5861 "Influece of surface and interfacial layers on
atomic layer deposition and properties of thin films", duration 2004-2007
15.List of most important publications

K.Kukli, J.Aarik, T.Uustare, J.Lu, M.Ritala, A.Aidla, L.Pung, A.Hårsta, M.Leskelä, A.Kikas, V.Sammmelselg, Engineering structure and properties of hafnium oxide films by atomic layer deposition temperature, Thin Solid Films, 479 (2005) 1-11.

T.Jantson, T.Avarmaa, H.Mändar, T.Uustare, R.Jaaniso, Nanocrystalline Cr2O3-TiO2 thin films by pulsed laser deposition, Sens. Actuators B, 109 (2005) 24-31.

J.Aarik, A.Aidla, A.Kikas, T.Käämbre, R.Rammula, P.Ritslaid, T.Uustare, V.Sammelselg, Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2, Appl.Surf. Sci., 230 (2004) 292-300.

K.Kukli, J.Aarik, M.Ritala, T.Uustare, T. Sajavaara, J.Lu, J. Sundqvist, A.Aidla, L.Pung, A.Hårsta, M.Leskelä, Effect of selected atomic layer deposition parameters on the structure and dielectric properties of hafnium oxide films, J. Appl. Phys.,96 (2004), 5298-5307.

A.Rosental, A.Tarre, A.Gerst, J.Sundqvist, A.Hårsta, A.Aidla, J.Aarik, V.Sammelselg, T.Uustare, Gas sensing properties of epitaxial SnO2 thin films prepared by atomic layer deposition, Sens. Actuators B, 93 (2003) 552-555.

A.Tarre, A.Rosental, J.Sundqvist, A.Hårsta, T.Uustare, V.Sammelselg, Nanoepitaxy of SnO2 on -Al2O3 (012), Surf. Sci., 532-535 (2003) 514-518.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar, T.Uustare, M.Schuisky, A.Hårsta, Atomic layer growth of epitaxial TiO2 thin films from TiCl4 and H2O on -Al2O3 substrates, J. Cryst. Growth, 242 (2002) 189-198.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar, T.Uustare, V.Sammelselg, Growth kinetics and structure formation of ZrO2 thin films in chloride-based atomic layer deposition process, Thin Solid Films, 408 (2002) 197-203.

J.Aarik, A.Aidla, T.Uustare, K.Kukli, V.Sammelselg, M.Ritala, M.Leskelä, Atomic layer deposition of TiO2 thin films from TiI4 and H2O, Appl.Surf. Sci., 193 (2002) 277-286.

K.Kukli, M.Ritala, J.Aarik, T.Uustare, M.Leskelä, Influence of growth temperature on properties of zirconium dioxide films grown by atomic layer deposition, J. Appl. Phys., 92 (2002) 1833-1840.

K.Kukli, M.Ritala, T.Uustare, J.Aarik, K.Forsgren, T.Sajavaara, M.Leskelä, A.Hårsta, Influence of thickness and growth temperature on the properties of zirconium oxide films grown by atomic layer deposition on silicon, Thin Solid Films, 410 (2002) 53-60.

A.Rosental, A.Tarre, A.Gerst, T.Uustare, V.Sammelselg, Atomic-layer chemical vapor deposition of SnO2 for gas-sensing applications, Sensors and Actuators B, 77 (2001)297-300.

A.Tarre, A.Rosental, V.Sammelselg, T.Uustare, Comparative study of low-temperature chloride atomic-layer chemical vapor deposition of TiO2 and SnO2, Appl.Surf. Sci.,175-176 (2001) 111-116.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar and T.Uustare, Atomic layer deposition of titanium dioxide from TiCl4 and H2O: investigation of growth mechanism, Appl. Surf. Sci., 172, (2001) 148-158.

J.Aarik, A.Aidla, H.Mändar, T.Uustare, K.Kukli, M.Schuisky , Phase transformations in hafnium dioxide thin films grown by atomic layer deposition at high temperatures, Appl. Surf. Sci., 173 (2001) 15-21.

J.Aarik, J.Karlis, H.Mändar, T.Uustare, V.Sammelselg, Influence of structure development on atomic layer deposition of TiO2 thin films, Appl.Surf. Sci., 181 (2001) 339-348.

K.Kukli, J.Aarik, A.Aidla, K.Forsgren, J.Sundqvist, A.Hårsta, T.Uustare, H.Mändar and A.-A.Kiisler, Atomic layer deposition of tantalum oxide thin films from iodide precursor, Chem. Mater., 13 (2001) 122-128.

K.Kukli, K.Forsgren, J.Aarik, T.Uustare, A.Aidla, A.Niskanen, M.Ritala, M.Leskelä, A.Hårsta, Atomic layer deposition of zirconium oxide from zirconium tetraiodide, water and hydrogen peroxide, J. Cryst. Growth, 231 (2001) 262-272.

last updated: 05.08.2005

[ sulge aken ]