ERIS - Eesti teadus- ja arendustegevuse infosüsteem

Elulookirjeldus (CV)
1.	Eesnimi	Raul
2.	Perekonnanimi	Rammula
3.	Töökoht	Tartu Ülikool, Füüsikalise Keemia Instituut
4.	Ametikoht	doktorant,insener
5.	Sünniaeg	16.02.1981 (päev.kuu.aasta)
6.	Haridus	Tartu Ülikool, tahkisefüüsika, MSc., 2005 Tartu Ülikool, materjaliteadus, BSc., 2003 Türi Majandusgümnaasium, 1999
7.	Teenistuskäik	2002 - 2003, vaheaegadega, Tartu Ülikool Füüsika Instituut, laborant; 2003-2004, Tartu Ülikool materjaliteaduse magistriõpe; 08.2004 - k.a., Tartu Ülikool, Füüsikalise Keemia Instituut, insener; 09.2005- Tartu Ülikool, füüsika doktoriõpe.
8.	Teaduskraad	MSc, tahkisefüüsikas
9.	Teaduskraadi välja andnud asutus, aasta	Tartu Ülikool, 2005
10.	Tunnustused	Tartu Ülikooli Füüsika Instituudi üliõpilasstipendium, 2005
11.	Teadusorganisatsiooniline ja –administratiivne tegevus
12.	Juhendamisel kaitstud väitekirjad
13.	Teadustöö põhisuunad	tahkisekilede aatomkihtsadestamine, tahkisekilede aatomjõumikroskoopia ja fotoelektronspektroskoopia.
14.	Jooksvad grandid
15.	Teaduspublikatsioonid	J. Aarik, A. Aidla, R. Rammula, H. Mändar, A. Kasikov, V. Sammelselg. Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2 and ZrO2 thin films, Apllied surface Science, In press (105265). M.Lulla, J.Asari, J.Aarik, K.Kukli, R.Rammula, U.Tapper, E.Kauppinen, V.Sammelselg, EPMA of highly insulating HfO2 thin films supported by conductive or insulating substrates, Microchimica Acta (2005), Submitted. J. Aarik, A. Aidla, A. Kikas, T. Käämbre, R. Rammula, P. Ritslaid, T. Uustare and V. Sammelselg. Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2. Applied Surface Science 230 (2004) 292–300.

viimati muudetud: 09.08.2005

Curriculum Vitae (CV)
1.	First Name	Raul
2.	Surname	Rammula
3.	Institution	University of Tartu, Institute of Physical Chemistry
4.	Position	PhD student, engineer
5.	Date of birth	16.02.1981 (day.month.year)
6.	Education	University of Tartu, Solid State Physics, MSc. degree, 2005 University of Tartu, Material Science, BSc. degree, 2003 Türi Business School, 1999
7.	Research and professional experience	2002 - 2003 periodically, University of Tartu, lab assistant; 2003 - 2004 University of Tartu, MSc studies; 08.2004 - present, University of Tartu, Institute of Physical Chemistry, engineer; 09.2005 - University of Tartu, PhD studies.
8.	Academic degree	MSc, Solid State Physics
9.	Dates and sites of earning the degrees	University of Tartu, 2005
10.	Honours/awards	University of Tartu, Institute of Physics, Student Scholarship, 2005
11.	Research-administrative experience
12.	Supervised dissertations
13.	Current research program	Deposition and characterization of thin oxide films using ALD, AFM and XPS methods.
14.	Current grant funding
15.	List of most important publications	J. Aarik, A. Aidla, R. Rammula, H. Mändar, A. Kasikov, V. Sammelselg. Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2 and ZrO2 thin films, Apllied surface Science, In press (105265). M.Lulla, J.Asari, J.Aarik, K.Kukli, R.Rammula, U.Tapper, E.Kauppinen, V.Sammelselg, EPMA of highly insulating HfO2 thin films supported by conductive or insulating substrates, Microchimica Acta (2005), Submitted. J. Aarik, A. Aidla, A. Kikas, T. Käämbre, R. Rammula, P. Ritslaid, T. Uustare and V. Sammelselg. Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2. Applied Surface Science 230 (2004) 292–300.

last updated: 09.08.2005