teema: Kõrgtemperatuurse rekristallisatsiooniprotsessi uurimine päikeseelemendis kasutatavas CdTe absorberkihis
tunnusnumber: ETF5891
projekti tüüp: Eesti Teadusfondi grant
erialad: 2.2. Materjaliteadus
seisund: käimasolev
asutus: TTÜ Keemia- ja materjalitehnoloogia teaduskond
projekti juht: Valdek Mikli
kestus: 01.01.2004 - 31.12.2006
kirjeldus: Tänapäeval on õhukestest kiledest valmistatud päikeseelementide üheks peamiseks puuduseks elementides kasutatava päikeseenergia absorberkihi struktuuri ebatäiuslikkus. Sellega kaasneb lõpptootena valmistatud päikeseelemendi madal efektiivsus ja kasutegur. Suur osa genereeritud laengukandjatest neelatakse polükristalse kile nanomõõtmeliste kristalliitide teraäärtel ning kiledes olevate ebasoovitavate lisandite poolt.

Üheks peamiseks kilede kristalliitide kasvatamise ja lisanditest vabanemise võimaluseks on rekristallisatsioon. Antud projekti raames on plaanis läbi viia CdTe kilede rekristallisatsiooniuuringud. Kilesid on plaanis rekristalliseerida kolme erineva põhimõtte järgi:
rekristallisatsioon vedela faasi juuresolekul;
rekristallisatsioon tahkes faasis kõrgel temperatuuril (0,75-0,85 sulamistemperatuurist);
rekristallisatsioon tahkes faasis kõrgel temperatuuril ja rõhul.

Uurimuse tulemuseks on oluliselt paremate optoelektroonsete omadustega fotoelemendi valmistamine. Saadavad tulemused on olulised ka õhukeste kilede rekristallisatsiooni iseloomu kirjeldamiseks. Positiivsete tulemuste korral on saadud teadmisi plaanis rakendada ka teistsuguse koostisega kilede (nt. CuInS2) kristalliitide kasvatamiseks.

projektiga seotud isikud
nr nimi asutus amet  
1.Jaan HiieTallinna Tehnikaülikoolvanemteadur 
2.Valdek MikliTTÜ Keemia- ja materjalitehnoloogia teaduskondvanemteadur 
3.Reet NisumaaTallinna Tehnikaülikoolteadur 
4.Rainer TraksmaaTallinna Tehnikaülikoolvaneminsener