| kirjeldus: |
Töö eesmärgiks on töötada välja p-ja n-tüüpi kristallide kasvatamise metoodika kahe faasi kooseksisteerimise tingimustel. Selleks uuritakse defektide termodünaamikat kristallide superplastilise deformatsiooni ning kristallide ebanormaalse kasvu lähedastes tingimustes defektide alavõre moodustumise seisukohast lähtudes. Põhilisteks uurimismetooditeks on kõrgtemperatuurse elektrijuhtivuse mõõtmise meetod ja EPR. Nendest saame andmed kõrgel temperatuuril defektide vahel toimuvate reaktsioonide ja kinnikülmutatud defektide tasakaalu iseloomustamiseks. Katsete ja arvutuste alusel määratakse soovitud omadustega kristallide kasvatamiseks vajalikud parameetrid komponentide sobivatel osarõhkudel ja faasiüleminekutele lähedastel tingimustel. Tulemusi kasutatakse optoelektroonilistes, nanotehnoloogilistes, kütuseelementide ja spintroonilistes rakendustes. |