teema: Schottky siirded laia keelutsooniga pooljuhtides: Laengukandjate transpordimudelid ja mudelite parameetreid môjutavad elektrofüüsikalised nähtused
tunnusnumber: ETF5901
projekti tüüp: Eesti Teadusfondi grant
erialad: 2.12. Elektrotehnika
seisund: käimasolev
asutus: TTÜ Infotehnoloogia teaduskond
projekti juht: Toomas Rang
kestus: 01.01.2004 - 31.12.2006
kirjeldus: Projekti teaduslikuks eesmärgiks on välja töötada üldistatud transpordimudel laia keelutsooniga pooljuhtmaterjalidel pôhinevate Schottky siirete tarbeks. Loodav transpordimudel vôtab arvesse môlemat tüüpi laengukandjate injektsiooni ning lôksude ja tehnoloogiliste dislokatsioonide poolt kontrollitud ruumlaenguala ala môju Richardsoni tegurile ja koguvoolumudelile. Uuringud peaksid andma detailset informatsiooni ning kirjeldama koguvoolumudeli difusiooni-triivi-, tunnel-, ja lekkevoolu komponente vôttes lisaks arvesse ka materjali anisotroopsust ja metalli-pooljuhi üleminekute mittehomogeensusest tingitud barjäärikôrguse varieerumist. Samuti tuleb uurida väliskeskkonna (näiteks temperatuur) môju Richardsoni tegurile ja siirdeala defektidele. Lôpptulemusteks oleksid esiteks oluliselt täpsem ning teoreetiliselt korrektne laia keelutsooniga materjalidel pôhinevate Schottky siirete koguvoolumudel ning teiseks väljatöötatud mudeli parameetrite määramise algoritmid.
Töö hüppoteesiks on, et laia keelutsooniga materjalidel pôhinevate Schottky siirete varjutusteguri (shape function) optimaalse valiku kaudu täpsustada koguvoolumudelit. Varjutustegur on otseses sôltuvuses aga siirdealas asuvatest defektidest (sh tehnoloogilistest) ja kontaktiala mittehomogeensustest tingitud potentsiaalibarjääri kôrguse ebaühtlusest, samuti väliskeskkonna parameetritest.
Konkreetselt lahendatavad probleemid on Schottky koguvoolumudeli kirjeldamine arvestades nii difusioon-triiv- tunnel- kui ka lekkevoolu komponenti; defektide, sh tehnoloogiliste dislokatsioonide ja lôksude môju uurimine Schottky tüüpi, tunnel- ja lekkevoolu lähendusele ja metall-pooljuhi siirdeala ääretingimustele; varjutusteguri (shape function) hindamine; Richardson'i teguri täpsustamine; lisandiaatomite ja laengukandjate liikuvuse temperatuurisôltuvuse môju siirde päritakistusele; tunnelvoolu môju hindamidamine Schottky siirde läbilöögi mehanismile; läbilöögiintegraali täpsustamine; lekkevoolu môju hindamine barjääri mittehomogeensustest tingitud voolujaotusele ja koguvoolumudeli rakendamine uut tüüpi SiC Schottky struktuuride, nagu JSB (Junction Schottky Barrier Diode) ja LDSS (Lateral Dual Sidewall Schottky Diode), iseloomustamiseks ja karakteriseerimiseks.

projektiga seotud isikud
nr nimi asutus amet  
1.Oleg KorolkovTallinna Tehnikaülikoolteadur 
2.Raido KurelTallinna Tehnikaülikoolassistent 
3.Mihhail PikkovTallinna Tehnikaülikoolvanemteadur 
4.Toomas RangTTÜ Infotehnoloogia teaduskondprofessor